Zbudują fabrykę memrystorów
1 września 2010, 16:04HP poinformowało o podpisaniu porozumienia z koreańską firmą Hynix Semiconductor, które przewiduje budowę fabryki memrystorów. Zakład ma rozpocząć produkcję w 2013 roku.
Samsung zaprezentował pamięci PRAM
11 września 2006, 10:54Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania.
FeTRAM, kolejny konkurent dla pamięci flash
3 października 2011, 15:54Na Purdue University powstaje nowy rodzaj układów pamięci, które mają być szybsze od obecnie istniejących rozwiązań, a jednocześnie zużywać znacznie mniej energii niż kości flash. Pamięci łączą krzemowe nanokable z polimerem „ferroelektrycznym", który zmienia polaryzację pod wpływem pola elektrycznego.
Dysk twardy ma 50 lat
12 września 2006, 09:49Dyski twarde radykalnie zmieniły sposób organizacji danych w pamięciach masowych. Te zasłużone w przemyśle IT urządzenia obchodzą swój 50. jubileusz.
Elpida wyprodukowała ReRAM
25 stycznia 2012, 09:39Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
Superszybka pamięć IBM-a
15 lutego 2007, 14:30Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) IBM pokazał najszybszą w historii kość pamięci. Dzięki zastosowaniu nowej technologii układ eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory) Błękitnego Giganta charakteryzuje się nie tylko najkrótszym czasem dostępu do danych, ale również ponadtrzykrotnie większą pojemnością niż analogiczne produkty konkurencji.
Optyczne układy scalone mogą więcej
29 września 2015, 21:34Naukowcy zbudowali prototyp optycznego układu scalonego mogącego służyć jako pamięć trwała.
Szybkie i nieulotne
5 grudnia 2007, 23:29Japoński NEC informuje o opracowaniu najszybszych do tej pory układów pamięci MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory). Kości tego typu odznaczają się cechami, które mogą istotnie odmienić sposób, w jaki korzystamy z komputerów oraz wszelkich urządzeń cyfrowych. W obecnej postaci można już nimi bezpośrednio zastąpić pamięci statyczne (ang. Static RAM).
Nieulotne pamięci FRAM dla przemysłu motoryzacyjnego
3 lutego 2017, 06:25Fujitsu przystosowało nowy rodzaj pamięci nieulotnej FRAM (Ferroelectric Random-Access Memory) do potrzeb rynku motoryzacyjnego. Japoński koncern poinformował, że jego nowy chip MB85RS256TY pracuje w pełnym zakresie temperatur wymaganych przez przemysł motoryzacyjny (od 125 do -40 stopni Celsjusza)
Jeśli Filipińczyk chce skończyć szkołę, musi posadzić 10 drzew
29 maja 2019, 11:57Jeśli filipiński uczeń czy student chce skończyć szkołę, musi posadzić 10 drzew. Zobowiązuje go do tego nowa ustawa - Graduation Legacy for the Environment Act (House Bill 8728).
